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Fixapart BD139-MBR Fiche technique

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BD135
BD137/BD139
NPN SILICON TRANSISTORS
■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
DESCRIPTION
The BD135, BD137 and BD139 are silicon
epitaxial planar NPN transistors in Jedec SOT-32
plastic package, designed for audio amplifiers
and drivers utilizing complementary or quasi
compementary circuits.
The complementary PNP types are the BD136
BD138 and BD140.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
3
2
1
SOT-32
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
BD135 BD137 BD139
V
CBO
Collector-Base Voltage (I
E
=0) 456080V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage (I
B
=0) 456080V
V
EBO
Emitter-Base Voltage (I
C
=0) 5 V
I
C
Collector Current 1.5 A
I
CM
Collector Peak Current 3 A
I
B
Base Current 0.5 A
P
tot
Total Dissipation at T
c
≤ 25
o
C12.5W
P
tot
Total Dissipation at T
amb
≤ 25
o
C1.25W
T
stg
Storage Temperature -65 to 150
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature 150
o
C
1/4
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Résumé du contenu

Page 1 - BD137/BD139

BD135BD137/BD139NPN SILICON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe BD135, BD137 and BD139 are siliconepitaxial planar NPN transis

Page 2 - BD135 / BD137 / BD139

THERMAL DATARthj-caseThermal Resistance Junction-case Max 10oC/WELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase=25oC unless otherwise specified)Symbol Parameter Tes

Page 3 - BD135 / BD137 / B139

DIM.mm inchMIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.A 7.4 7.8 0.291 0.307B 10.5 10.8 0.413 0.445b 0.7 0.9 0.028 0.035b1 0.49 0.75 0.019 0.030C 2.4 2.7 0.040 0.106

Page 4

Information furnished is believed to be accurate and reliable.However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for theconsequencesof us

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